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2024-11-02
半導(dǎo)體封裝材料高溫絕緣電阻測(cè)試有以下應(yīng)用場(chǎng)景：1.半導(dǎo)體器件封裝領(lǐng)域：-環(huán)氧塑封料（EMC）性能評(píng)估：環(huán)氧塑封料是半導(dǎo)體芯片封裝的常用材料，對(duì)其進(jìn)行高溫絕緣電阻測(cè)試可以檢驗(yàn)材料在高溫環(huán)境下的絕緣性能，確保芯片在工作過(guò)程中不會(huì)因封裝材料的絕緣問(wèn)題而出現(xiàn)漏電、短路等故障。比如在功率電子器件的封裝中，對(duì)環(huán)氧塑封料的絕緣要求更高，通過(guò)測(cè)試可以篩選出符合要求的材料，保障器件的可靠性和穩(wěn)定性。-封裝結(jié)構(gòu)的可靠性驗(yàn)證：在半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中，不同材料之間的界面以及封裝內(nèi)部的連接部位，在高溫條件...2024-11-01
電容器溫度特性評(píng)估系統(tǒng)的應(yīng)用范圍主要集中在哪幾方面？一、電容器本身性能的評(píng)估1.溫度穩(wěn)定性評(píng)估：通過(guò)模擬電容器在不同溫度條件下的工作環(huán)境，測(cè)量并記錄其關(guān)鍵參數(shù)（如電容值、損耗角正切值等）隨溫度的變化情況，從而評(píng)估電容器的溫度穩(wěn)定性。這對(duì)于預(yù)測(cè)電容器的使用壽命、確保其在實(shí)際應(yīng)用中的性能穩(wěn)定具有重要意義。2.熱性能評(píng)估：系統(tǒng)能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)電容器在不同工作條件下的溫度狀態(tài)，評(píng)估其散熱性能和容量是否滿足設(shè)計(jì)要求。這對(duì)于優(yōu)化電容器的設(shè)計(jì)和選型至關(guān)重要。二、電子設(shè)備與系統(tǒng)的穩(wěn)定性與可靠性評(píng)...2024-10-31
鐵電分析儀支持哪些擴(kuò)展功能?鐵電分析儀是一種用于研究和測(cè)試鐵電材料性能的精密儀器，其擴(kuò)展功能十分豐富，通常包括但不限于以下方面：一、基本測(cè)試功能的擴(kuò)展鐵電分析儀在不改變樣品連接的情況下，可執(zhí)行多種基本測(cè)試功能的擴(kuò)展，如：電滯回線測(cè)試：測(cè)量鐵電材料的電滯回線，是鐵電性能測(cè)試的基礎(chǔ)。脈沖測(cè)試：對(duì)鐵電材料施加脈沖信號(hào)，觀察其響應(yīng)特性。漏電流測(cè)試：測(cè)量鐵電材料在電場(chǎng)作用下的漏電流，評(píng)估其絕緣性能。IV和CV測(cè)試：分別測(cè)量鐵電材料的電流-電壓（I-V）和電容-電壓（C-V）特性。二、特...2024-10-30
200V高壓放大器的技術(shù)特性與應(yīng)用實(shí)踐一、概述HCAM-200V專(zhuān)為需要超出大多數(shù)波形、函數(shù)或脈沖發(fā)生器的標(biāo)準(zhǔn)電壓限制的高壓放大應(yīng)用而設(shè)計(jì)。HCAM-200V的最大輸出電壓為400Vp-p，標(biāo)配+50的固定增益。額定電流為100mA，輸出阻抗為0.2?。有獨(dú)立的緩沖電壓監(jiān)測(cè)器輸出，用于需要低電平輸出信號(hào)表示的應(yīng)用。對(duì)于50?的輸入，緩沖器的減少量為20:1，對(duì)于1M?及以上的輸入，減少量為100:1。電流限制功能在兩個(gè)方向上感測(cè)輸出電流。這為放大器在運(yùn)行過(guò)程中提供了最大的保護(hù)...2024-10-29
影響固體擊穿電壓的因素分為哪些？影響固體擊穿電壓的因素是多方面的，主要包括以下幾個(gè)方面：1.電壓作用時(shí)間短時(shí)間作用：在沖擊電壓作用下，主要發(fā)生電擊穿，此時(shí)擊穿電壓較高。長(zhǎng)時(shí)間作用：在周期性過(guò)電壓或交流實(shí)驗(yàn)電壓較長(zhǎng)時(shí)間作用下，熱擊穿占主導(dǎo)地位，擊穿電壓會(huì)降低。若電壓作用時(shí)間非常長(zhǎng)，還可能導(dǎo)致電化學(xué)擊穿，擊穿電壓進(jìn)一步下降。2.電場(chǎng)均勻程度與介質(zhì)厚度電場(chǎng)均勻性：對(duì)于電擊穿過(guò)程，電場(chǎng)越均勻，擊穿電壓越高。然而，在熱擊穿過(guò)程中，如果散熱條件不佳，介質(zhì)厚度的增加反而不利于散熱，可能導(dǎo)致...2024-10-29
影響固體擊穿電壓的因素分為哪些？影響固體擊穿電壓的因素是多方面的，主要包括以下幾個(gè)方面：1.電壓作用時(shí)間短時(shí)間作用：在沖擊電壓作用下，主要發(fā)生電擊穿，此時(shí)擊穿電壓較高。長(zhǎng)時(shí)間作用：在周期性過(guò)電壓或交流實(shí)驗(yàn)電壓較長(zhǎng)時(shí)間作用下，熱擊穿占主導(dǎo)地位，擊穿電壓會(huì)降低。若電壓作用時(shí)間非常長(zhǎng)，還可能導(dǎo)致電化學(xué)擊穿，擊穿電壓進(jìn)一步下降。2.電場(chǎng)均勻程度與介質(zhì)厚度電場(chǎng)均勻性：對(duì)于電擊穿過(guò)程，電場(chǎng)越均勻，擊穿電壓越高。然而，在熱擊穿過(guò)程中，如果散熱條件不佳，介質(zhì)厚度的增加反而不利于散熱，可能導(dǎo)致...2024-10-29
表面電荷測(cè)量系統(tǒng)的試驗(yàn)原理為了研究固-氣界面電荷的消散現(xiàn)象，首先須在試樣表面施加一定的初始電荷。本系統(tǒng)采用經(jīng)典的電暈充電電路對(duì)試樣進(jìn)行預(yù)充電，電極結(jié)構(gòu)如下圖，針電極施加正極或負(fù)極性高壓直流電壓，板電極接地，針電極針尖距離試樣表面10mm（可通過(guò)軟件調(diào)整距離），可軟通過(guò)件設(shè)置一定的充電試驗(yàn)。采用靜電電何探頭對(duì)材料的表面電荷進(jìn)行測(cè)量。為了對(duì)試樣表面進(jìn)行掃描，通過(guò)步進(jìn)電極搭建了針對(duì)二維平面的掃描平臺(tái)，如圖下所示。該平臺(tái)將2個(gè)線性模組垂直安放，帶動(dòng)試樣臺(tái)進(jìn)行二維平移運(yùn)動(dòng)，電荷探頭被垂...