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2021-09-23
電阻是電導(dǎo)的倒數(shù)。電阻率是單位體積內(nèi)的電阻。材料電導(dǎo)越小，其電阻越大，兩者成倒數(shù)關(guān)系。對(duì)絕緣材料的要求，一般情況下總是希望電阻率盡可能高。絕緣電阻：用絕緣材料隔開(kāi)的兩個(gè)導(dǎo)體之間的電阻，即與絕緣材料相接觸的兩電極之間的直流電壓除以通過(guò)兩電極的總電流所得的商，它等于體積電阻加表面電阻的單位用Ω(MΩ)表示。表面電阻：在絕緣材料同一表面兩導(dǎo)體間的電阻，就是在絕緣材料同一表面上的兩電極之間的直流電壓除以電極問(wèn)流過(guò)的電流，即電導(dǎo)電流(泄漏電流)，單位為Ω。表面電阻率：在絕緣材料表面的直...2021-09-22
電壓擊穿試驗(yàn)機(jī)的操作步驟：1、試驗(yàn)前的準(zhǔn)備：1）打開(kāi)試驗(yàn)機(jī)右側(cè)的總電源開(kāi)關(guān),預(yù)熱15分鐘。2）打開(kāi)計(jì)算機(jī)進(jìn)入Windows系統(tǒng)。雙擊本儀器軟件的快捷圖標(biāo)打開(kāi)試驗(yàn)登錄界面輸入登錄密碼即可進(jìn)入試驗(yàn)界面。2、交直流試驗(yàn)的切換1）本儀器高壓輸出為交流電壓。直流的獲得方式為在原回路中串入高壓硅堆，使測(cè)試回路為脈動(dòng)的直流電壓。實(shí)現(xiàn)的過(guò)程為，硅堆已經(jīng)在高壓變壓器的高壓絕緣塔中，平時(shí)用一個(gè)短路桿把高壓硅堆短接。需要直流試驗(yàn)時(shí)，取出短路桿，使高壓硅堆接入測(cè)試電路中，這時(shí)回路的電壓為脈動(dòng)的直流電...2021-09-22
擊穿電壓的溫度特性：溫度升高后，晶格振動(dòng)加劇，致使載流子運(yùn)動(dòng)的平均自由路程縮短，碰撞前動(dòng)能減小，必須加大反向電壓才能發(fā)生雪崩擊穿具有正的溫度系數(shù)，但溫度升高，共價(jià)鍵中的價(jià)電子能量狀態(tài)高，從而齊納擊穿電壓隨溫度升高而降低，具有負(fù)的溫度系數(shù)。在強(qiáng)電場(chǎng)作用下，固體電介質(zhì)喪失電絕緣能力而由絕緣狀態(tài)突變?yōu)榱紝?dǎo)電狀態(tài)。導(dǎo)致?lián)舸┑膠uidi臨界電壓稱(chēng)為擊穿電壓，在均勻電場(chǎng)中，擊穿電壓與固體電介質(zhì)厚度之比稱(chēng)為擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，它反映固體電介質(zhì)自身的耐電強(qiáng)度。當(dāng)施加的高壓達(dá)到破壞其絕緣強(qiáng)度時(shí)的過(guò)程...2021-09-18
高溫四探針測(cè)試儀是研究高溫條件下半導(dǎo)體或絕緣材料導(dǎo)電性能的測(cè)試儀器，可以實(shí)現(xiàn)高溫、真空、氣氛條件下測(cè)量薄膜方塊電阻、電阻率，可以實(shí)現(xiàn)常溫、變溫、恒溫條件的I-V、R-T、R-t等測(cè)量功能，可以分析電阻率pv與溫度T變化的曲線，一體化集成設(shè)計(jì)，是用于變溫、真空及氣氛條件下測(cè)試半導(dǎo)體材料電學(xué)性能的測(cè)量系統(tǒng)。高溫四探針測(cè)試儀采用手動(dòng)升降平臺(tái)，該平臺(tái)可以將樣品和電極夾具一起沉降到高溫爐中，并保證樣品和測(cè)量傳感器盡可能接近，確保測(cè)量溫度與樣品溫度的一致性；高溫爐膛采用纖維一體開(kāi)模鑄造而...2021-09-17
閃絡(luò)-指高壓電器（如高壓絕緣子）在絕緣表面發(fā)生的放電現(xiàn)象，成為表面閃絡(luò)，簡(jiǎn)稱(chēng)閃絡(luò)。絕緣閃絡(luò)：絕緣材料在電場(chǎng)作用下，尚未發(fā)生絕緣結(jié)構(gòu)的擊穿時(shí)，在其表面或與電極接觸的空氣（離子化氣體）中發(fā)生的放電現(xiàn)象，成為絕緣閃絡(luò)。1.電壓波形直流、工頻正弦及沖擊電壓下，擊穿機(jī)理不同，所測(cè)的擊穿場(chǎng)強(qiáng)也不同，工頻交流電壓下的擊穿場(chǎng)強(qiáng)比直流和沖擊電壓下的低得2..電壓作用時(shí)間，無(wú)論電擊穿還是熱擊穿都需要時(shí)間，隨著加壓時(shí)間的增長(zhǎng)，擊穿電壓明顯下降。3、電場(chǎng)的均勻性及電壓的極性，電場(chǎng)不均勻往往測(cè)得的電壓...2021-09-17
設(shè)備優(yōu)勢(shì)：1、TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù):電弱點(diǎn)測(cè)試儀大都采用的光耦隔離方式，但光耦與隔離無(wú)非是提高儀器的采集的抗干擾處理，對(duì)于擊穿放電過(guò)程中的浪涌對(duì)控制系統(tǒng)的防護(hù)起不到任何作用。華測(cè)TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)，將起到對(duì)控制系統(tǒng)的防護(hù)。2、更方便的試驗(yàn)方式:本試驗(yàn)儀器輸入交流電壓與直流電壓，試驗(yàn)過(guò)程通過(guò)設(shè)備自帶的工控機(jī)進(jìn)行控制。實(shí)時(shí)觀測(cè)電弱點(diǎn)數(shù)量，試驗(yàn)樣品轉(zhuǎn)速與長(zhǎng)度、試驗(yàn)電壓與試驗(yàn)電流等參數(shù)。3、伺服電機(jī)配合編碼器同步運(yùn)行保證更精準(zhǔn)速度控制:本試驗(yàn)儀器采用伺服電機(jī)控制收卷速度。伺服電...2021-09-16
產(chǎn)品介紹：HCRD-300型電弱點(diǎn)測(cè)試儀，主要應(yīng)用于新能源汽車(chē)用鋰離子電池隔膜電氣絕緣性能缺陷檢測(cè)。采用計(jì)算機(jī)控制，通過(guò)人機(jī)對(duì)話方式，HCRD-300型電弱點(diǎn)測(cè)試儀是根據(jù)1EC60674-2:2009電氣用塑料薄膜第2部分:試驗(yàn)方法及其第1次修正和GB/T13542-2009《電氣用塑料薄膜試驗(yàn)方法》而設(shè)計(jì)的高壓試驗(yàn)裝置。主要用于鋰離子電池隔膜、電容器用聚脂薄膜、聚丙稀薄膜的電弱點(diǎn)測(cè)試。該系列產(chǎn)品的主要特點(diǎn)是能根據(jù)薄膜的使用寬度進(jìn)行電弱點(diǎn)的測(cè)試，測(cè)試寬度可根據(jù)用戶(hù)的要求而設(shè)定...